Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов

Шашурин В.Д.; Ветрова Н.А.; Куимов Е.В.; Пчелинцев К.П.; Александров А.С.

Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов

Шашурин В.Д., Ветрова Н.А., Куимов Е.В., Пчелинцев К.П., Александров А.С.

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T17:34:25Z

Аннотация:

Постановка проблемы. На начальных этапах разработки полупроводниковых гетероструктурных устройств с поперечным транспортом особую роль занимает вычисление коэффициента прохождения. Вследствие специфики характера зависимости коэффициента прохождения от энергии носителей заряда выбор численного метода его расчета является сложной задачей. Неправильный выбор метода расчета коэффициента туннельной прозрачности приводит к неоправданно высоким временны́м затратам и, что хуже, к численной неустойчивости решения. Цель работы - разработка топологически-ориентированного подхода к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов. Результаты. Проанализированы результаты расчетов коэффициента туннельной прозрачности гетероструктур методами матриц переноса и функций Грина, проведена оценка зависимости от числа гетеропереходов вычислительных характеристик соответствующих алгоритмов. Установлены топологически-ориентированные сферы применения алгоритмов расчета коэффициента туннельной прозрачности. Практическая значимость. Представленные рекомендации к построению автоматизированных вычислительных алгоритмов с пониженной временной сложностью для эффективного поиска коэффициента туннельной прозрачности наноэлектронных гетероструктурных приборов с поперечным транспортом на основе полупроводниковых сверхрешеток.