Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:19:31Z

Аннотация:

Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения результатов проведённого расчета энергетического спектра электронной и дырочной квантовых ям с полученными экспериментальными данными предположено, что указанные пики могут быть интерпретированы как энергии фононов, генерируемых при захвате электронов из барьерного слоя на второй уровень размерного квантования, а также при релаксации электронов со второго уровня на излучательный уровень и захвате дырок на верхний уровень квантовой ямы.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147