Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:19:54Z

Аннотация:

При различных внешних и внутрикристаллических условиях (при разных температурах, напряженностях электрического поля, исходных значениях темнового удельного сопротивления образца, содержании, а также химической природе введенной редкоземельной примеси) исследовано влияние гальванически приложенного электрического поля на собственную фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия (p-GaSe). Установлено, что фотопроводимость в образцах нелегированных монокристаллов p-GaSe с исходным (имеющим место при Т = 77 К) темновым удельным сопротивлением ρт0 ≤ 4·104 Ом·см и легированных редкоземельными элементами (диспрозием и эрбием) с процентным содержанием NРЗЭ ≥ 10–2 ат. % не зависит от напряженности электрического поля. А в образцах нелегированных монокристаллов с ρт0 > 105 Ом·см и легированных с NРЗЭ < 10–2 ат. % при Т ≤ 250 К и слабых освещенностях фотопроводимость зависит от напряженности электрического поля. Обнаруженное влияние электрического поля на фотопроводимость в исследуемых образцах монокристаллов p-GaSe объяснено электрическим спрямлением флуктуации электронного потенциала свободных энергетических зон, обусловленной наличием в них случайных макроскопических дефектов.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 2. С. 76-81