Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN

Бурмистров, Евгений Романович; Авакянц, Лев Павлович; Афанасова, Марина Михайловна

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN

Бурмистров, Евгений Романович, Авакянц, Лев Павлович, Афанасова, Марина Михайловна

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:20:05Z

Аннотация:

Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью которой можно оценить кинетические параметры двумерного электронного газа в изучаемой структуре. Результаты проведенного расчета матричных потенциалов рассеяния продемонстрировали достоверность и состоятельность на используемой модели промышленных светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Показано, что механические напряжения в слоях InGaN/GaN приводят к неравномерному распределению суммарного электрического поля вдоль активного слоя. Установлено, что время релаксации, ограничивающее подвижность двумерного электронного газа при пьезоэлектрическом рассеянии, ~ 10–9 с.

Ключевые слова:
квантовые ямы, механические напряжения, гетероструктура, транспортное время, двумерный электронный газ, рассеяние

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19