Исходя из топологии гетероструктуры с квантовыми ямами, предложена ее эквивалентная схема в виде последовательного соединения параллельных RC-цепей, описывающих электрофизические свойства барьерных слоев, квантовых ям. Схема учитывает свойства процесса поставки носителей к ямам, захват ими носителей заряда, их излучательную рекомбинацию, а также сквозной ток через гетероструктуру. Получены выражения для нахождения емкости и сопротивления последовательной RC-схемы замещения, а также выражения для вычисления активных и реактивных элементов эквивалентной схемы.