Влияние тонкопленочных покрытий SiO2 : Me на эффективность  фотогенерирующих элементов

Бойко, А. А.; Зализный, Д. И.; Аль-Камали, М. Ф. С. Х.; Подденежный, Е. Н.; Алексеенко, Ю. А.; Дробышевская, Н. Е.; Аль-Арики, Н. A. С.; Голосов, Д. А.; Доан, Х. Т.

Влияние тонкопленочных покрытий SiO2 : Me на эффективность фотогенерирующих элементов

Бойко, А. А., Зализный, Д. И., Аль-Камали, М. Ф. С. Х., Подденежный, Е. Н., Алексеенко, Ю. А., Дробышевская, Н. Е., Аль-Арики, Н. A. С., Голосов, Д. А., Доан, Х. Т.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T23:17:49Z

Аннотация:

Представлены результаты исследований влияния тонкопленочных покрытий на основе SiO2 : Cux и SiO2 : Nix на КПД фотоэлементов (использовались фотоэлементы Aoshike). Отработаны технологиче ские режимы получения мишеней, содержащих наночастицы ионов переходных металлов, и определены режимы нанесения тонких пленок на подложки методом импульсного лазерного испарения. Результаты исследований вольт-амперных характеристик показали, что покрытия с применением никеля, а также покрытия с минимальной концентрацией меди являются наилучшими. Эффективность фотоэлементов с этими покрытиями практически такая же, как у чистых образцов. Значения Pmax у них даже несколько выше, однако о явном увеличении КПД говорить преждевременно, так как полученные отклонения Pmax находятся в рамках погрешности измерений и разброса параметров покрытий.

Ключевые слова:
Тонкие пленки, Ионы меди, Ионы никеля, Фотоэлемент, Вольт-амперная характеристика, Последовательное сопротивление, КПД, Thin films, Copper ions, Nickel ions, Photocell, Voltage-ampere characteristic, Serial resistance, Efficiency

Тип: Article

Влияние тонкопленочных покрытий SiO2 : Me на эффективность фотогенерирующих элементов

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация