Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2022-11-01T13:13:12Z

Аннотация:

В работе с использованием источников обобщены сведения о методах плазмохимического осаждения из газовой фазы тонких слоев диэлектриков на основе нитрида, углерода и диоксида кремния, а также фосфор- и борсодержащих материалов. Описаны процессы роста слоев и приведены данные об основных физико-химических свойствах тонкослойных диэлектрических материалов.

Тип: Article