Влияние примеси Ве на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs

Парчинский, Павел Борисович; Газизулина, Алиса Сергеевна; Насиров, Абдуманап Абулмаджидович

Влияние примеси Ве на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs

Парчинский, Павел Борисович, Газизулина, Алиса Сергеевна, Насиров, Абдуманап Абулмаджидович

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2022-12-01T16:13:40Z

Аннотация:

Исследовано влияние дополнительного легирования бериллием на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в GaMnAs:Be в области полей свыше 2000 Э наблюдается анизотропия магнетосопротивления, измеренного вдоль кристаллических осей [110] и [1͞10], проявляющаяся в различном характере температурной зависимости его величины. Данная анизотропия является следствием наличия в слоях GaMnAs:Be пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста.

Ключевые слова:
легирование бериллием, анизотропия, отрицательное магнетосопротивление, эпитаксиальные слои, ферромагнитное упорядочение

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 114-119