Исследовано влияние дополнительного легирования бериллием на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в GaMnAs:Be в области полей свыше 2000 Э наблюдается анизотропия магнетосопротивления, измеренного вдоль кристаллических осей [110] и [1͞10], проявляющаяся в различном характере температурной зависимости его величины. Данная анизотропия является следствием наличия в слоях GaMnAs:Be пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста.