Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире

Ли, Цзысюань; Олешко, Владимир Иванович; Воробьева, Людмила Владимировна

Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире

Ли, Цзысюань, Олешко, Владимир Иванович, Воробьева, Людмила Владимировна

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-02-06T15:01:27Z

Аннотация:

Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин.

Ключевые слова:
экспериментальные исследования, гетероструктуры, фотолюминесценция, катодолюминесценция

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 11. С. 77-81