Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости поверхностной энергии от толщины

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2023-02-06T15:02:54Z

Аннотация:

В данной работе исследуется рост двумерных и нульмерных наноструктур. В процессе выращивания наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии происходит фазовый переход из газообразного состояния в твёрдое. Любой фазовый переход есть сложный многоэтапный процесс. В данной работе будет уделено внимание четырём основным процессам, приводящимся по порядку стадий роста: зарождение островков, независимый рост островков, слияние островков и трёхмерный рост плёнки. При построении модели будет учитываться обнаруженная в ряде недавних работ зависимость поверхностной энергии растущего двумерного слоя от его толщины [1]. В данном случае имеется интерес к определению времени и условий роста материалов в зависимости от требуемых параметров наноструктур

Тип: статьи в сборниках

Источник: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 225


Связанные документы (рекомендация CORE)