Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-02-21T11:50:14Z

Аннотация:

На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором с учетом и без учета рассеяния на фононах и ионах примеси. Полученные результаты показывают, что в этих структурах на подвижность электронов наиболее существенное влияние оказывают фононные механизмы рассеяния.

Тип: Working Paper