Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Об использовании полупроводникового титана бария для создания химического сенсора газов и новых сегнетомагнетиков

Дата публикации: 2004

Дата публикации в реестре: 2023-04-03T10:57:18Z

Аннотация:

Титанат бария, легированный оксидом иттрия (0,2 % мол.), при температуре 380 К может служить хорошим сенсором на СО. Для изучения влияния присутствия оксида азота в воздушной среде на электропроводность керамики полупроводникового титаната бария использовались образцы твердых растворов Ba[0?999]Ce[0,001]Ti[1-x]Sn[x]O[3] со значениями х = 0,1; 0.2. Исследовано влияние температуры обжига на фазовый состав, температурную зависимость намагниченности насыщения, диэлектрической проницаемости, электросопротивления, магнитосопротивления смесей с различным соотношением этих сегнетоэлектриков и ферромагнетиков.

Тип: Article


Связанные документы (рекомендация CORE)