Силовая GaN-электроника как фактор роста энергоэффективности преобразователей электрической энергии

Бартенев, Александр Иванович; Кагадей, Валерий Алексеевич; Коряковцев, Артем Сергеевич; Полынцев, Егор Сергеевич; Помазанов, Алексей Владимирович; Проказина, Ирина Юрьевна; Шеерман, Федор Иванович

Силовая GaN-электроника как фактор роста энергоэффективности преобразователей электрической энергии

Бартенев, Александр Иванович, Кагадей, Валерий Алексеевич, Коряковцев, Артем Сергеевич, Полынцев, Егор Сергеевич, Помазанов, Алексей Владимирович, Проказина, Ирина Юрьевна, Шеерман, Федор Иванович

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2023-04-03T13:52:08Z

Аннотация:

Показано, что переход от силовой Si-электроники к силовой GaN-электронике является действенным методом, обеспечивающим рост энергоэффективности преобразователей электрической энергии. Проведен сравнительный анализ эффективности оборудования силовой электроники на основе Si и GaN, а также показаны текущее состояние и тренды развития дискретных силовых транзисторов и силовых интегральных схем (ИС) на основе GaN. Показано, что переход к GaN ИС является одним из базовых трендов развития силовой микроэлектроники. Представлены результаты разработки силовых GaN-интегральных схем на основе гетероструктур GaN/SOI с напряжением 650 и 200 В.

Ключевые слова:
энергоэффективность, силовая электроника, преобразователи электрической энергии

Тип: статьи в журналах

Источник: Технологии безопасности жизнедеятельности. 2023. № 1. С. 91-100