Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T12:25:06Z

Аннотация:

Методами просвечивающей электронной микроскопии, электронографии и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа проведены исследования элементного состава, закономерностей структурных и фазовых превращений, происходящих в тонкопленочных системах Si–Fe–Si и TiN–Ti–Si при импульсном фотонном отжиге в зависимости от плотности энергии облучения. Определены оптимальные параметры импульсного фотонного отжига для формирования на кремнии тонких пленок FeSi2 β-модификации и TiSi2 в модификации C54.

Тип: Статья (Article)

Другие версии документа

Влияние импульсного фотонного отжига на структуру и фазовый состав тонкопленочных систем на основе кремния и переходных металлов