Целью данной работы является разработка метода фотоассистированной ЭСМ Кельвина, то есть метода ЭСМ Кельвина, дополненного тем, что в сканирующем электросиловом микроскопе исследуемый образец и зазор между кончиком проводящего зонда и поверхностью образца освещается внешним оптическим излучением, а также применение разработанного метода для определения знака заряда основных носителей в исследуемых органических полупроводниках и гетероструктурах на их основе.