Моделирование фемтосекундных импульсов в полупроводниковом лазере при постоянном токе накачки методом FDTD

Макаревич, В.В.; Котяшёв, Е.О.; Makarevich, V.V.; Katsiashou, Y.O.

Моделирование фемтосекундных импульсов в полупроводниковом лазере при постоянном токе накачки методом FDTD

Макаревич, В.В., Котяшёв, Е.О., Makarevich, V.V., Katsiashou, Y.O.

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2023-11-01T13:36:49Z

Аннотация:

Представлены результаты моделирования динамики излучения полупроводникового лазера на базе уравнений Максвелла-Блоха с использованием метода конечных разностей во временной области (FDTD). Для GaAs поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором с длиной волны 628 нм при постоянной токовой накачке обнаружена возможность существования периодической последовательности фемтосекундных импульсов, длительностью ~ 100 фс. Simulation results of semiconductor laser dynamics using finite-differences time domain (FDTD) method of solving MaxwellBloch equations are presented. The ~ 100 fs pulse train regimes under continuous pumping were found to be possible for GaAs vertical cavity surface emitting lasers in the 628 nm wavelength region.

Ключевые слова:
метод конечных разностей во временной области, полупроводниковый лазер, фемтосекундные импульсы, когерентное взаимодействие, finite-difference time domain method, semiconductor laser, femtosecond pulses, coherent interaction

Тип: Article

Права: open access