Дата публикации: 1984

Дата публикации в реестре: 2023-11-01T13:50:31Z

Аннотация:

Проведены расчеты дисперсионных зависимостей фотоупругих коэффициентов Cˡₓ(hw) в кристаллах Ge, Si, GaP, InP, GaAs, InAs, AlSb,GaSb, InSb. Результаты расчетов подтверждены данными экспериментов. Показано, что в коротковолновой области спектра дисперсионные зависимости Cˡₓ(hw) определяются прямыми межзонными переходами и существенно различны в материалах с "прямой" и "непрямой" структурой энергетических зон. Длинноволновые значения фотоупругих коэффициентов определяются преимущественно вкладами оптических переходов в области высоких энергий фотонов при hw ≫ Eᵍ. Вычислены коэффициенты акустооптического качества M₂ для характерных длин волн видимого и инфракрасного диапазонов.

Тип: Article

Права: open access