Проведено исследование поляризационных характеристик излучения, возникающего при электролюминисценции n-i-структур из GaN. Установлено, что дипольные социлляторы в нитриде галлия ориентированы в направлении <1000>. Выбранная система расположения оптических диполей подтверждается измерениями поляризационных диаграмм фотолюминесценции кристалла, включающего изотропные и анизотропные центры люминесценции.
