Рассматривается вопрос выявления примесной неоднородности полупроводников по изменению показателя преломления методом дефокусировки. Получено соотношение, связывающее распределение интенсивности в плоскости изображения с фазовой функцией объекта. Экспериментально исследованы образцы электронного арсенида галлия с полосчатой неоднородностью. Предложен метод колличественного измерения вариации оптической толщины образцов методом дефокусировки.