Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста

Горшков, Дмитрий Витальевич; Закиров, Евгений Рашитович; Сидоров, Георгий Юрьевич; Сабинина, Ирина Викторовна; Гутаковский, Антон Константинович; Вдовин, Владимир Ильич

Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста

Горшков, Дмитрий Витальевич, Закиров, Евгений Рашитович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Сабинина, Ирина Викторовна, Гутаковский, Антон Константинович, Вдовин, Владимир Ильич

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2023-12-05T16:04:07Z

Аннотация:

Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80–160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл выходила на насыщение. Исследование химического состава методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии позволило установить, что увеличение времени пост-плазменной откачки приводит к уменьшению концентрации примесей, таких как азот и углерод, в пленке HfO2. Были измерены следующие электрофизические параметры выращенных пленок HfO2: емкость, диэлектрическая постоянная и плотность тока утечки. Исследования поперечных срезов диэлектрика методом ПЭМ показали наличие «зернистой» структуры в пленке HfO2, выращенной при температуре 80 °C.

Ключевые слова:
плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, вольт-фарадные характеристики, тонкие пленки

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 6. С. 111-119