Исследованы электронные возбуждения в ионных кристаллах в условиях сильных электрических полей в процессе электролюминесценции щелочно-галоидных кристаллов (ЭЛ ЩГК). На основе измерений вольт-амперных, яркостных, характеристик ЭЛ ЩГК, следования процессов токопереноса и механизмов миграции энергии возбуждения к центрам свечения в ЩГК в условиях сильных электрических полей до 108 В/м, зависимостей квантового выхода ЭЛ от концентрации активатора, оценки параметров возбуждения и ионизации в широкой температурной области сделаны предположения о возможности проявления стадии автолокализованного экситона (АЛЭ) в процессе миграции энергии возбуждения к центрам свечения в области низких температур. В ходе анализа результатов измерений характеристик ЭЛ ЩГК в широкой температурной области (от –180 до +100 °С) с использованием неактивированных и активированных двухвалентной примесью оснований с помощью различных экспериментальных методик была исследована возможность передачи энергии возбуждения центрам свечения в условиях сильного электрического поля высокоэнергетическими электронными возбуждениями – экситонами. Экспериментально подтверждена возможность участия АЛЭ при передаче энергии возбуждения центрам свечения в процессе прыжковой диффузии.