Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)

Кукенов, Олжас Игоревич; Дирко, Владимир Владиславович

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)

Кукенов, Олжас Игоревич, Дирко, Владимир Владиславович

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-12-05T16:08:31Z

Аннотация:

В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях.

Ключевые слова:
дифракция быстрых электронов, эпитаксиальные слои кремния, молекулярно-лучевая эпитаксия, полупроводниковые наноструктуры

Тип: статьи в сборниках

Источник: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 42-44

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация