Развита теория межзонного однофотонного одноквантового поглощения сильной световой волны в алмазоподобных полупроводниках со сложной зоной в многозонном приближении Кейна. Получено аналитическое выражение для вероятности однофотонного межзонного перехода, содержащее зависимость от интенсивности, вектора поляризации и частоты поглощаемого света, а также от зонных параметров полупроводника, где учтен вклад в коэффициенты одноквантового поглощения света эффекта Раби оптических переходов. Показано, что форма края поглощения и линейно-циркулярного дихроизма зависит от степени поляризации света и от параметра Раби.