Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга

Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.

Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга

Bobylev, A. N., Udovichenko, S. Yu., Бобылев, А. Н., Удовиченко, С. Ю.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2023-12-05T17:04:22Z

Аннотация:

Статья посвящена исследованию в области твердотельной нейроморфной электроники. Затронуты требования к стабильности и воспроизводимости характеристик твердотельных аналогов синапсов-мемристоров и способы получения устройств, соответствующих этим требованиям. Описываются результаты эксперимента по получению тонкопленочного электронного устройства на основе смешанного оксида металлов Al:TiO 2. Представлены вольт-амперные характеристики твердотельного элемента и отмечена существенная нелинейность этих характеристик. Описаны зависящие от времени эффекты в процессах переключения мемристора. Указаны свойства живых синапсов, воспроизведенные в твердотельном элементе, и возможность использования полученного мемристора, как суммирующего элемента искусственного нейрона.

Ключевые слова:
reactive magnetron sputtering, memristor, synapse, реактивное магнетронное распыление, мемристор, синапс

Тип: Article

Права: open access