В работе представлены экспериментальные результаты по изучению распределения элементов в Cr/Si- и Сr/Al-структурах, сформированных методом ионно-ассистируемого осаждения в вакууме. Распределение элементов по глубине в сформированных покрытиях изучались методами резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия и резонансных ядерных реакций.