Целью исследования является установление закономерностей влияния
дефектов в высоколегированных кремниевых структурах на электрофизиче-
ские параметры шумовых полупроводниковых диодов и создание технологии
формирования и стабилизации дефектно-примесного ансамбля для улучшения
этих параметров.