Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора

Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R.

Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора

Ловшенко, И. Ю., Стемпицкий, В. Р., Lovshenko, I. Y., Stempitsky, V. R.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:19:59Z

Аннотация:

Представлены результаты моделирования воздействия потока протонов на электрические характеристики приборной структуры полевых транзисторов на основе GaAs. Определены зависимости максимального тока стока IС и напряжения отсечки от величины флюенса и энергии протонов, а также температуры окружающей среды.

Ключевые слова:
материалы конференций, полевые транзисторы, ионизирующее излучение, электрические характеристики, field-effect transistors, ionizing radiation, electrical characteristics

Тип: Статья

Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация