Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:21:05Z

Аннотация:

Рассмотрены особенности проектирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), подверженной воздействию электромагнитных помех (ЭМП) с учетом восприимчивости полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных микросхем (ИМС). В качестве альтернативного критерия оценки восприиимчивости ИМС предложено выбирать их по минимальным уровням электромагнитного излучения. При проектировании экранов для защиты РЭА от ЭМП важно учитывать частоты, на которых излучения ИМС максимальны.

Тип: Article