Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами

Жданович, Д. Н.; Огородников, Д. А.; Медведева, И. Ф.; Фадеева, Е. А.; Толкачева, Е. А.

Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами

Жданович, Д. Н., Огородников, Д. А., Медведева, И. Ф., Фадеева, Е. А., Толкачева, Е. А.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:24:16Z

Аннотация:

Показано, что при облучении альфа частицами обратно-смещенных диодных структур на основе кристаллов р-SiGe скорость удаления основных носителей заряда значительно снижена в области пространственного заряда (ОПЗ) диодов по сравнению с квазинейтральной областью. Наблюдаемый эффект связан с инжекционно-ускоренной миграцией собственных межузельных атомов кремния и их взаимодействием с другими дефектами решетки в ОПЗ диодов во время облучения.

Ключевые слова:
материалы конференций, кремний-германиевый сплав, DLTS-спектроскопия, альфа-частица

Тип: Article