Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4

Боднарь, И. В.; Ящук, В. А.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.

Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4

Боднарь, И. В., Ящук, В. А., Павловский, В. Н., Яблонский, Г. П.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:25:03Z

Аннотация:

Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10−320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает.

Ключевые слова:
публикации ученых, монокристаллы, кристаллы, температурная зависимость

Тип: Article

Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация