Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:25:32Z

Аннотация:

В работе представлены результаты моделирования процессов ионизации ловушечных состояний в оксиде гафния в составе элемента резистивной памяти.

Тип: Article