Контроль технологических этапов формирования изделий полупроводниковой техники может производится посредством анализа комплекта полученных изображений топологических слоев интегральных микросхем. Проанализированы преимущества применения растровой электронной микроскопия в сочетании с локальным ионно-лучевым препарированием как средство анализа вертикальной структуры интегральных микросхем.