Представлены результаты анализа динамики удаления фоторезистивных плёночных защитных покрытий в объеме плазмы СВЧ разряда в кислороде и характера изменения интенсивности свечения спектральной линии ОI (λ=844,6 нм), используемой для контроля за удалением фоторезиста в случае обработки большого количества кремниевых пластин. Полученные результаты позволяют дополнить феноменологическую модель процесса плазмохимической деструкции фоторезистивных плёнок в объёме кислородной плазмы СВЧ разряда.