Анодный и термический Zr02 являются весьма перспективными материалами в технологии микроэлектроники, в частности крио-ИМС. Их применение позволяет создавать воспроизводимые по параметрам сверхпроводниковые микроструктуры, субмикронные элементы, что позволяет решить сложные технологические задачи микроэлектроники и создать качественно новые микроэлектронные структуры.