В данной работе представлены результаты исследования фононной теплопроводности для тонких слоистых пленок Si/Ge с (100), (110) и (111) кристаллографическими ориентациями. Было установлено, что при продольном тепловом транспорте вдоль направления [110] имеет место существенное фонон поверхностное рассеяние для тонкопленочных структур с (100) ориентацией и незначительное для (110) и (111) ориентаций. Также, дополнительным фактором снижения теплопроводности является создание свободной поверхности из одного материала.