В настоящее время с развитием нанотехнологий плазмохимическое травление остается
практически единственным инструментом для переноса рисунка интегральной схемы в маскирующем
слое в материал подложки благодаря тому, что точность переноса рисунка соизмерима с размером ионов
травящих газов. Требования к плазменной технологии: допустимые дефекты, селективность
(избирательность к материалу), управление шириной линии, однородность травления становятся все
более жесткими и, как следствие, более сложными в реализации. Для повышения скорости и
селективности плазмохимического травления пленок нитрида кремния при обработке в плазме газовой
смеси, состоящей и фторсодержащего газа и кислорода, в качестве фторсодержащего газа использован
гексафторид серы с концентрацией 70–91 об.% при концентрации кислорода 9–30 об.%.