Представлены результаты расчетов электронных зонных спектров и диэлектрической функции двумерных (дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2). Установлено, что исследуемые материалы в объёмном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как монослои сульфидов становятся прямозонными полупроводниками со значением ширины запрещённой зоны 1,84 эВ (MoS2) и 1,97 эВ (WS2), при этом прямой переход сдвигается в точку K. Монослои диселенидов молибдена и вольфрама остаются непрямозонными полупроводниками с шириной запрещённой зоны 1,60 эВ и 1,66 эВ, соответственно. Проанализированы возможности создания электронных приборов на основе исследованных материалов.