Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением

Богуш, В. А.

Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением

Дата публикации: 2004

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:33:55Z

Аннотация:

Современный уровень развития электроники, компьютерной техники и, особенно, микроэлектроники характеризуется высоким уровнем технологии, расширением элементной базы и функциональности изделий, использованием большого числа различных материалов.

Ключевые слова:
публикации ученых, микроэлектроника, химическое осаждение, пленки серебра

Тип: Статья

Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация