Рассматривается применение подложек из пористого кремния для целей
сверхпроводниковой наноэлектроники. Особое внимание уделяется влиянию морфологии пор
(пористость, средний диаметр пор) на сверхпроводящие свойства ультратонких пленок на пористых
подложках. Продемонстрировано, что подобным образом можно получить связанную сеть одномерных
сверхпроводящих нанопроводов для разработки и использования нового класса высокочувствительных
радиационных детекторов, магнетометров, кубитов и транзисторов на основе эффекта проскальзывания
фазы, а также квантовых стандартов тока.