Рассмотрен процесс Flip–Chip мон-тажа, который заключается в присоединении полупроводникового кристалла ИС на подложку активной стороной вниз. Из механизма подачи поступает припойный шарик, который под действием лазерного импульса плавится и формирует объемный вывод. Лазерное изучение обеспечивает высокую пиковую мощность импульсов и возможность фокусировки в пятно малого размера, чем достигается плотность мощ-ности излучения порядка 108 Вт/см2.