В данной работе представлены результаты расчетов напряжения холостого хода гетероструктуры
оксид молибдена/кремний в условиях солнечного облучения. Установлены закономерности влияния
на напряжение холостого хода разности работ выхода оксида молибдена и кремния, скорости
поверхностной рекомбинации и тока короткого замыкания. Показано, что напряжение холостого хода
существенно падает при росте скорости поверхностной рекомбинации свыше 10 м/с.