В работе проведено исследование влияния морфологии теплопроводность нанопроволок Si/Ge типа ядро/оболочка с <100>, <110>, <112> и <111> кристаллографическими ориентациями и диаметром около 5 нм. Обнаружено, что для <112>- ориентированных нанопроволок Si-ядро/Ge-оболочка при объемной доле ядра ~24 % теплопроводность является наименьшей (5,4 Вт/(м∙К)), в то время как значения теплопроводности для нанопроволок из чистого Si и Ge составляют 13,5 и 7,4 Вт/(м∙К), соответственно.
