Влияние деформаций решетки на электронную структуру  монослоя дисульфида молибдена

Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.

Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена

Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Борисенко, В. Е., Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Borisenko, V. E.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:43:42Z

Аннотация:

Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.

Ключевые слова:
публикации ученых, дисульфид молибдена, монослои, зонная структура, ширина запрещенной зоны, molybdenum disulfide, monolayers, band structure, band gap

Тип: Статья