Влияние электронно-блокирующего слоя на транспорт зарядов в активную область ИК-светодиода на коллоидных квантовых точках PbS

Туровец, У. Е.; Позняк, А. А.; Завадский, С. М.; Гранько, С. В.; Плиговка, А. Н.

Влияние электронно-блокирующего слоя на транспорт зарядов в активную область ИК-светодиода на коллоидных квантовых точках PbS

Туровец, У. Е., Позняк, А. А., Завадский, С. М., Гранько, С. В., Плиговка, А. Н.

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:44:34Z

Аннотация:

Предложен подход для улучшения яркости и стабильности ИК-светодиода за счет балансировки носителей заряда с помощью ультратонкого электронно-блокирующего слоя из оксида алюминия. Такой подход позволил улучшить яркость – 7,42 Вт·м2·ср–1 при длине волны 1300 нм и стабильность – более 144 часов.

Ключевые слова:
публикации ученых, светодиоды, электронно-блокирующие слои, инфракрасные светодиоды, ИК-светодиоды

Тип: Article

Влияние электронно-блокирующего слоя на транспорт зарядов в активную область ИК-светодиода на коллоидных квантовых точках PbS

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация