В настоящее время кремний достиг своих пределов в качестве основного материала силовой электроники. В ряде применений постепенно его заменят широкозонные полупроводники. Использование мощных GaN- или SiC-транзисторов приводит к более простым и эффективным решениям для преобразования энергии. Показано преимущество использования широкозонных полупроводников в качестве материалов для полупроводниковых приборов силовой электроники.