Двумерные полупроводниковые дихалькогениды тугоплавких металлов (ДТМ) являются перспективными материалами для создания нового класса приборов и структур.
Возможность создания гетероструктур с контролируемым числом атомных слоев требует всестороннего изучения
изменения свойств составляющих материалов в зависимости
от толщины слоев, их взаимного расположения и наличия
примесей. Вопросы о том, как взаимодействие между слоями
влияет на свойства материала, представляют обширное поле
для исследований .