Дата публикации: 2010

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T18:01:57Z

Аннотация:

Проведено моделирование пространственного нестационарного температурного распределения в модельном сегнетоэлектрическом образце под воздействием электронных пучков растрового электронного микроскопа (РЭМ). Представлено решение задачи о влиянии сфокусированных источников тепла различных конфигураций на монокристалл сегнетоэлектрика и на кристалл с нанесенными на грани электродами. Реализация модели основана на методе конечных разностей. Предложено программное приложение, позволяющее рассчитать температурные поля и максимальную температуру перегрева при заданных теплофизических характеристиках образца и параметрах эксперимента для различных типов растровых электронных микроскопов.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 1. С. 34-40