расширенный поиск
Дата публикации: 2023
Дата публикации в реестре: 2024-04-15T10:20:24Z
Получен эвтектический композитный материал (InSb)₉₈.₂ - (NiSb)₁.₈, состоящий из монокристаллической матрицы полупроводника InSb и ориентированных игл NiSb. Рассчитана температура начала прыжковой проводимости, которая составила Т𝜈 = 126.1 К
Тип: Article