Исследованы электрофизические свойства тонких пленок наноструктурированного
оксида индия. Структура и химический состав пленок изучались методами электронной
дифракции, сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной
спектроскопии. Температурная зависимость проводимости пленок оксида индия измерялась
при постоянной концентрации кислорода методом циклической термодесорбции. На основе
результатов исследования предложен механизм проводимости. Результаты могут быть
использованы в микроэлектронных датчиках