Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальными данными на длине волны лазера на углекислом газе.